Фізики освоїли синтез графенових електродів для гнучких світлодіодів

Фізики з Інституту органічної електроніки та Інституту електронно-пучкових і плазмових технологій товариства Фраунгофера розробили методику створення графенових електродів великої площі для органічних світлодіодів (OLED). Прототипи світлодіодів вже були випробувані на практиці і виявилися працездатними. Основне застосування технології - гнучкі світлодіодні дисплеї, сонячні батареї і носима гнучка електроніка. Про результати повідомляє прес-реліз товариства Фраунгофера (Німеччина).

Електронні та механічні властивості графена роблять його привабливим для величезного спектру застосувань. Це оптично-прозорий міцний матеріал, що володіє високою електропровідністю. Однак, створення бездефектних аркушів графену - складне технологічне завдання. Наприклад, метод відщеплення графену скотчем, який використовували Андрій Гейм і Костянтин Новоселов у своїй «нобелівській» роботі, дозволяє отримувати чешуйки матеріалу дуже малої площі. Більш досконалі методи - хімічне осадження з газової фази - вимагають ретельного підбору умов.

Як повідомляє прес-реліз, завдяки роботі вчених вперше стало можливим виробництво працездатних графенових електродів для світлодіодів. У своїй роботі матеріалознавці використовували хімічне розкладання метану на поверхні гарячої (800 градусів Цельсія) мідної пластини. Газ частково розчинявся і розкладався в металі, формуючи на його поверхні тонкий шар графена. Поверх нього наносили полімерне покриття і розчиняли мідь, після чого використовували електрод.

За словами авторів, перші продукти з графеновими електродами можуть бути випущені вже через 2-3 роки. Насамперед вони підходять для сенсорних екранів, наприклад, гнучких. Крім того, графен можна застосовувати у фотовольтаїці, високотехнологічних тканинах і медицині.

Серед вуглецевих матеріалів, яким пророкували різні застосування в електроніці, можна ще виділити вуглецеві нанотрубки. Ці матеріали мають високу рухливість зарядів і вважають, що вони зможуть стати основою для надшвидких транзисторів. У 2016 році транзистори на вуглецевих нанотрубках вперше обійшли за своїми характеристиками кремнієві прилади.