Фізики поєднали три магнітні біти в один

Ізраїльські та американські фізики розробили і протестували новий осередок магнітної пам'яті, яка може перебувати в шести різних станах, на відміну від традиційних однобітних елементів пам'яті. Така технологія дозволяє потроїти щільність запису інформації і, за словами розробників, може підвищити швидкість читання в магнітних пристроях. Робота опублікована в журналі, коротко про неї повідомляє Phys.org

Для успішного використання подібної комірки пам'яті вченим потрібно було також розробити метод читання і запису інформації, що знаходиться в ній. Автори запропонували контролювати намагніченість за допомогою спін-поляризованого електричного струму. У такому струмі спини (умовно, напрямки власного обертання електронів) сонаправлені, що викликає ряд незвичайних ефектів при взаємодії з магнітними полями. Процес зміни намагніченості під дією цього струму називається перемиканням спін-орбітальним моментом.

За словами авторів, головною гідністю запропонованого осередку є підвищена щільність запису інформації - замість двох в одному елементі кодується шість різних станів, що за певних умов дозволяє записати втричі більший обсяг інформації в тій же кількості комірок. Варто зазначити, що це не перша спроба створення подібних елементів пам'яті. Раніше пропонувалися структури на основі традиційних технологій флеш-пам'яті, здатні зберігати до чотирьох біт в осередку. Однак, вони володіли більш високим енергоспоживанням і були повільніше звичайних однобітних структур.

Замість електричного заряду, стан комірки в магнітній пам'яті (MRAM) визначається напрямком намагніченості спеціального шару. Перехід від однобітних до запропонованих трибітних комірок не вимагає введення нових шарів у звичну архітектуру пам'яті - достатньо лише змінити геометрію елемента. Автори зазначають, що можна збільшити кількість можливих станів в елементі до чотирьох - для цього треба перейти від трьох до чотирьох еліпсів в структурі. Це припущення вчені перевірили теоретичним моделюванням.